محاسبه ثابت انتشار و میدان امواج الکترومغناطیسی در موجبرهای کریستال فوتونی چند لایه
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشکده علوم پایه
- author زهرا امین
- adviser عبدالرسول قرایتی پرویز الهی
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1387
abstract
چکیده ندارد.
similar resources
اثر کانونی شدن امواج الکترومغناطیسی دربلور فوتونی دو بعدی با ثابت شبکه متغیر تدریجی
In this paper we studied the focusing effect of electromagnetic wave in the two-dimensional graded photonic crystal consisting of Silicon rods in the air background with gradually varying lattice constant. The results showed that graded photonic crystal can focus wide beams on a narrow area at frequencies near the lower edge of the band gap, where equal frequency contours are not concave. For c...
full textمحاسبه توان جذبی امواج الکترومغناطیسی راداری باندx در لایه و تیغههای پلاسمایی در انعکاسهای متوالی
در این مقاله سعی شده است جهت رادار گریز شدن تجهیزات موشکی و راداری از دید رادارهای دیگر توان جذبی امواج الکترومغناطیسی باند x در لایه و تیغه های پلاسمایی مغناطیسی و غیرمغناطیسی در انعکاسهای متوالی بررسی شوند. در این تحقیق توان جذبی، عبوری و منعکس شده با روش اسنل دکارت برای حالتهای مختلف مطالعه میشوند. بهاینصورت که یک موج تکفام با قطبش مشخص را به طور عمود و یا مایل به سطح لایه و تیغههای پ...
full textبررسی انتشار امواج الکترومغناطیسی در موجبرهای پلاسمونی غیرخطی
در این پایان نامه موجبرهای پلاسمونی که در آن موج در مرز پلاسمون-دی الکتریک منتشر می شود، معرفی شده است و سپس امکان کار آنها در ناحیه غیر خطی مورد بررسی قرار گرفته است. به این منظور پلاسمون خطی و دی الکتریک غیرخطی در نظر گرفته می شود. در نهایت مساله تحلیل موجبر پلاسمونی غیرخطی غیرایزوتروپیک (موجبر مگنتو-پلاسمونی) بیان می گردد.
15 صفحه اولاثر کانونی شدن امواج الکترومغناطیسی دربلور فوتونی دو بعدی با ثابت شبکه متغیر تدریجی
در این مقاله اثر کانونی شدن امواج الکترومغناطیسی در یک بلور فوتونی دو بعدی با ثابت شبکه متغیر تدریجی متشکل از میله های سیلیکون در زمینه هوا بررسی شده است. نتایج نشان می دهد که بلور فوتونی مدرج توانایی کانونی کردن امواجی با پهنای عرضی بزرگ را در بسامد های نزدیک به لبه پایین نوار گاف دارد، که در این بسامد ها شکل منحنی هم بسامد مقعر نمی باشد. ساختار نوار فوتونی و منحنی های هم بسامد مربوط به این بل...
full textتحلیل الکترومغناطیسی موجبرهای مبتنی بر گاف فوتونی
کاربرد بلورهای فوتونی در طول دهه ی گذشته به سرعت در حال گسترش بوده است. بلور فوتونی در مقایسه با شبکه بلور معمولی که بصورت آرایه ای از اتم ها ساخته می شود، به کار می رود. توزیع تناوبی عایق ها در مکان که همان بلور فوتونی است همانند چیدمان منظم اتم ها در بلور معمولی که باعث ایجاد گاف انرژی می شود، محدوده فرکانسی ایجاد می کند که در آن انتشار امواج الکترومغناطیسی امکان پذیر نیست. به این ناحیه گاف ف...
15 صفحه اولMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشکده علوم پایه
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023